云南大学“Si基纳米光电子材料制备科学与性能研究”项目通过国家科技成果评价

　　近日，第三方专业科技成果评价机构――中科合创（北京）科技成果评价中心在昆明依据科技部《科学技术评价办法》的有关规定，按照科技成果评价的标准及程序，本着科学、独立、客观、公正的原则，组织专家对云南大学能源研究院杨宇教授主持完成的“Si基纳米光电子材料制备科学与性能研究”项目进行了科技成果评价。
　　经过专家评审，认为该项目率先提出了采用溅射技术制备高密度Ge量子点的方法，使得大规模生长Ge量子点光电子材料成为可能；提出了一种Si离子注入改性发光技术，获得了与光纤低损耗窗口匹配的室温全硅发光材料；在Eu3+和 Tb3+离子共硅酸盐微晶玻璃中，实现了白光发射。采用导电原子力显微镜观察到Ge量子点的空穴共振隧穿效应。该项目成果发表论文73篇，其中SCI收录28篇，EI收录28篇；已获得6项发明专利授权。该成果研发了三类Si基发光材料，在Si材料的制备科学和光电性能领域创新性较强，总体达到国际先进水平。经专家组全面审核，与会专家一致同意，“Si基纳米光电子材料制备科学与性能研究”项目通过科技成果评价。
　　此次评价会专家组由贵研铂业股份有限公司研究员陈家林，云南北方红外集团公司物理研究室研究员张若岚，昆明冶金高等专科学校教授雷霆，昆明理工大学教授杨斌，昆明理工大学教授邱建备，云南省科学技术院研究员王晓旭，云南省对外科技合作协会研究员秦穆等组成。
　　科学技术处